原理：當(dāng)X射線光子進(jìn)入檢測(cè)器后，在Si（Li）晶體內(nèi)激發(fā)出一定數(shù)目的電子空穴對(duì)。產(chǎn)生一個(gè)空穴對(duì)的最低平均能量ε是一定的（在低溫下平均為3.8ev），而 由一個(gè)X射線光子造成的空穴對(duì)的數(shù)目為N=△E/ε，因此，入射X射線光子的能量越高，N就越大。利用加在晶體兩端的偏壓收集電子空穴對(duì)，經(jīng)過前置放大器 轉(zhuǎn)換成電流脈沖，電流脈沖的高度取決于N的大小。電流脈沖經(jīng)過主放大器轉(zhuǎn)換成電壓脈沖進(jìn)入多道脈沖高度分析器，脈沖高度分析器按高度把脈沖分類進(jìn)行計(jì)數(shù)， 這樣就可以描出一張X射線按能量大小分布的圖譜。

         利用不同元素的X射線光子特征能量不同進(jìn)行成分分析。能譜分析儀（EDS）是微區(qū)成份分析的主要手段之一。通常EDS檢測(cè)限為0.1%-0.5%（元素含量）。EDS的能量分辨率：～130eV。

1）、能快速、同時(shí)對(duì)各種試樣的微區(qū)內(nèi)Be-U的所有元素，元素定性、定量分析，幾分鐘即可完成。

2）、對(duì)試樣與探測(cè)器的幾何位置要求低，可以在低倍率下獲得X射線掃描、面分布結(jié)果。

3）、能譜所需探針電流?。簩?duì)電子束照射后易損傷的試樣，例如生物試樣、快離子導(dǎo)體試樣、玻璃等損傷小。

4）、檢測(cè)限一般為0.1%－0.5%，中等原子序數(shù)的無(wú)重疊峰主元素的定量相誤差約為2%。

EDS分析方法----點(diǎn)分析法

電子束（探針）固定在試樣感興趣的點(diǎn)上，進(jìn)行定性或定量分析。該方法準(zhǔn)確度高，用于顯微結(jié)構(gòu)的成份分析，對(duì)低含量元素定量的試樣，只能用點(diǎn)分析。

EDS的分析方法－線掃描分析

電子束沿一條分析線進(jìn)行掃描時(shí)，能獲得元素含量變化的線分布曲線。結(jié)果和試樣形貌像對(duì)照分析，能直觀地獲得元素在不同相或區(qū)域內(nèi)的分布。

EDS的分析方法－面分布

電子束在試樣表面掃描時(shí)，元素在試樣表面的分布能在屏幕上以亮度（或彩色）分布顯示出來（定性分析），亮度越亮，說明元素含量越高。研究材料中雜質(zhì)、相的分布和元素偏析常用此方法。面分布常常與形貌對(duì)照分析。

某試樣EDS檢測(cè)(未鍍膜）

某試樣EDS檢測(cè)（鍍膜）

定量分析對(duì)試樣的要求

1）樣品在真空和電子束轟擊下要穩(wěn)定；

2）高準(zhǔn)確度的分析時(shí),要求試樣分析面平、垂直于入射電子束；

3）試樣尺寸大于X射線擴(kuò)展范圍；

4）有良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能。

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